各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第八辑：SF900在InP晶圆测试上的应用。

此晶圆为在InP衬底上外延InGaAsP。

首先，我们采用785nm激光进行测试。

测试条件如下：

扫描设置：

激光波长：785nm

PL积分时间：10ms

单点测试：900-1400nm

我们先来看看编号为1的样品，进行PL测试。

图1. 三处对接区785nmPL测试结果

图2. 三处其他位置下的785nmPL荧光

图3. PL Mapping

同时，我们采用不同的激光器进行激发：532nm与785nm，并且进行对比。

图4. 不同激发波长下的PL对比

然后，我们再来看看样品2的情况，也同样进行对比。

图5. 样品2的785nmPL光谱

同时，我们也来看看样品2的532nm与785nm激发下的PL对比。

图6. 样品2的532与785PL对比

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