各位朋友们，大家好。

在前面的七辑中，我们分别分享了SR900全功能型共聚焦Raman光谱系统在第三代半导体材料与晶圆SiC，GaN以及AlN（我司与纳米所用户合作发表的文章，可以翻阅此前的公众号内容），以及在第二代半导体材料与晶圆GaAs和InP上的应用，那么在本期，我们就和您分享：Raman光谱产品应用系列第八辑，SR900在Si基芯片应力测试上的应用。

样品情况：Si芯片一块

扫描设置：

激光波长：532nm

Mapping点数：75×56

点间距500μm

积分时间1s

激光功率：20mW

图1. 样品情况

图2. 样品校正

图3. 样品典型Raman光谱

图4. 样品应力Mapping图（单位：MPa）

结论：

样品中心方块区域应力和周围4个区域应力有明显不同，平均值差值约100MPa

最后，我们来看一下图5中所示的样品翘曲结果。

图5. 样品翘曲结果

结论：样品本身翘曲高度约为120μm，样品中间高两边低。

以上就是本期分享的全部内容了！

感谢大家的观看。