AlGaN是一种由铝(Al)、镓(Ga)和氮(N)组成的三元化合物半导体材料,通过调节AlN和GaN的组分比例,可以实现对材料带隙宽度、晶格常数、折射率等关键参数的调控,是制造紫外LED、激光器以及高频高功率电子器件的理想材料。
AlGaN材料与晶圆专用光谱测试系统能够快速无损、非接触式地在整个AlGaN材料或晶圆尺度上提供关于组分、应力、晶体质量和发光效率等多维度的关键信息,从而成为推动高质量AlGaN材料外延生长、工艺优化和产业化不可或缺的强大工具。
AlGaN是一种由铝(Al)、镓(Ga)和氮(N)组成的三元化合物半导体材料,通过调节AlN和GaN的组分比例,可以实现对材料带隙宽度、晶格常数、折射率等关键参数的调控,是制造紫外LED、激光器以及高频高功率电子器件的理想材料。
AlGaN材料与晶圆专用光谱测试系统能够快速无损、非接触式地在整个AlGaN材料或晶圆尺度上提供关于组分、应力、晶体质量和发光效率等多维度的关键信息,从而成为推动高质量AlGaN材料外延生长、工艺优化和产业化不可或缺的强大工具。
物料名称 |
主要技术规格 |
AlGaN材料与晶圆专用拉曼与荧光测试系统(型号:RL900-AlGaN) |
显微模块
手动物镜转台,物镜切换切换后视野中心位置不变。4x近紫外物镜,100x拉曼用物镜。配紫外相机,可获得激光光斑和样品表面的显微图像;可在荧光收集模式和成像模式之间切换,通过激光功率计对激光功率进行测量和校准; 213nm激发和荧光信号收集模组 脉冲激光器,激光器平均功率>2.5mW,脉宽1ns。通过物镜收集荧光信号,最后荧光聚焦到光谱仪入口,内置衰减片调整进入光谱仪的荧光信号强度。 532nm激发和拉曼信号收集模组 连续激光器,激光器出口功率>50mW。拉曼收集范围80-4000cm-1,高倍物镜收集拉曼信号,通过共聚焦光路将拉曼信号聚焦到光谱仪入口,内置旋转衰减片来连续调整激光功率。 光谱仪 波长范围200-1100nm,光谱分辨率优于0.2nm,高灵敏度TE深制冷光谱探测器 位移台 XY移动范围200mm,最小步长1um,Z移动范围>10 mm,配合翘曲度模块实现自动对焦。样品盘可放置最大12寸的晶圆样品,兼容8寸、6寸、4寸和2寸样品。 荧光寿命及Mapping测试(可选) 光谱范围200-900nm,荧光寿命测量范围100ps-10us,光子计数器计数率100Mcps,通道数65535。 软件 荧光Mapping数据处理:处理荧光的Mapping图像,获得测试样片的峰值波长、主波长、半高宽、峰值强度、积分光强的分布。 |
显示:针对光谱Mapping数据的处理,一次性操作,可对整个图像数据中的每一条光谱按照设定进行批处理,获得对应的谱峰、寿命、成分等信息,并以伪彩色或3D图进行显示。
3D显示:
基础处理功能:去本底、曲线平滑、去杂线、去除接谱台阶、光谱单位转化
进阶功能:光谱归一化、选区获取积分、最大、最小、最大/最小值位置等
谱峰拟合:采用多种峰形(高斯、洛伦兹、高斯洛伦兹等)对光谱进行多峰拟合,获取峰强、峰宽、峰位、背景等信息。
应力拟合:针对Si、GaN、SiC等多种材料,从拉曼光谱中解析材料的应力变化,直接获得应力定量数值,并可根据校正数据进行校正。
载流子浓度拟合
晶化率拟合
荧光寿命拟合
自主开发的一套时间相关单光子计数(TCSPC)荧光寿命的拟合算法,主要特色
1.从上升沿拟合光谱响应函数(IRF),无需实验获取。
2.区别于简单的指数拟合,通过光谱响应函数卷积算法获得每个组分的荧光寿命,光子数比例,计算评价函数和残差,可扣除积分和响应系统时间不确定度的影响,获得更加稳定可靠的寿命数值。
3.最多包含4个时间组分进行拟合。