应用领域 - 苏州惟光探真科技有限公司

Raman光谱应用第十六辑 | Raman光谱在AlGaN中Al组分浓度测试上的应用

各位朋友好，在之前的公众号文章中，和大家已经分享了Raman光谱在AlGaN中Al组分浓度测试上的应用（插入超链接），那么本期和大家分享Raman光谱应用实际案例第十六辑：Raman光谱在AlGaN中Al组分浓度测试上的应用当然，我们的系统采用插槽式并联光路设计，也可以采用213nm或者266nm不同波长下的紫外PL测试，进行浓度分析，与Raman进行互补。实验设置如下：扫描设置：激光波长：532

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Raman光谱应用第十五辑 | Raman光谱在SiC晶圆纵向深度下的应力测试

各位惟光探真的朋友们大家好，在本期，我们分享：Raman光谱应用第十四辑 Raman光谱在SiC晶圆纵向深度下的应力测试。在之前的分享中，我们已经分享过几篇我们在SiC晶圆上的测试，特别是利用Raman的共焦性能进行不同深度下的测试，那么今天分享的情况与之前类似，也有差异。我们先来看一下具体的实验方法与样品情况，如图1所示。我们在样品上分为A/B/C/D四个区域，然后进行不同的测试。图1. 实验方

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Raman光谱应用第十四辑 | Raman光谱InGaAsP晶圆测试上的应用

各位惟光探真的朋友们大家好，在本期，我们分享：Raman光谱应用第十四辑 Raman光谱InAsGaP晶圆测试上的应用在荧光光谱第八辑中，我们分享了SF900在InGaAsP上的应用，并且对于2个不同的样品，分别进行了532nm激发和785nm激发下的PL光谱测试对比。http://www.lumixplore.com/xianshi/352.html接下来和大家分享我们的Raman测试结果。图1

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荧光光谱产品应用第八辑 | SF900在InGaAsP晶圆上的应用

各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第八辑：SF900在InP晶圆测试上的应用。此晶圆为在InP衬底上外延InGaAsP。首先，我们采用785nm激光进行测试。测试条件如下：扫描设置：激光波长：785nmPL积分时间：10ms单点测试：900-1400nm我们先来看看编号为1的样品，进行PL测试。图1. 三处对接区785nmPL测试结果图2. 三处其他位置下的785nmPL荧光图3. P

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荧光光谱产品应用第七辑 | SF900在GaN晶圆上的应用

各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第七辑：SF900在GaN晶圆测试上的应用。样品列表Si基GaN扫描设置：对样品进行PL扫描，观察不同位置在钝化后的发光峰强激光波长：320nm激光功率：40mW积分时间：10s波长区域：330nm~625nm图1. 测试点位选择图2. 测试结果分享图3. 测试结论分析

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荧光光谱产品应用第六辑 | SF900在AsGa晶圆上的应用

各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第五辑：AsGa晶圆的PL测试，但是区别于第五辑，本次采用的激发波长更短：375nm。测试条件如下：样品：GaAs扫描设置：对样品进行范围Mapping测试PL激光功率：3.1mW（375激光）测试范围、积分时间依据具体情况而定切边朝下放置GaAs刻字面朝上，GaAs样品运输过程中碎裂，对有刻字面的部分

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Raman光谱应用第十二辑 | Raman光谱AsGa晶圆测试上的应用

各位惟光探真的朋友们大家好，在前面几期里，我们已经有分享过我司的Raman光谱系统SR900在AsGa晶圆应力测试上的应用，在本期，我司分享一些与之前不太一样的结论。测试条件如下：样品分别为处理前GaAs与处理后GaAs扫描设置：缺口朝下摆放对样品正面进行Mapping分析应力扫描点数：556点积分时间：5s/点点间距：5mm/点图1. AsGa典型Raman光谱图2. 处理前的AsGa晶圆Ra

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荧光光谱产品应用第五辑 | SF900在AsGa晶圆上的应用

各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第五辑：AsGa晶圆的PL测试。测试条件如下：样品：GaAs扫描设置：对样品进行范围Mapping测试PL激光功率：24mW（532激光）测试范围、积分时间依据具体情况而定切边朝下放置GaAs刻字面朝上，GaAs样品运输过程中碎裂，对有刻字面的部分进行测试图1. AsGa样品的532nmPL测试结果图2. AsGa的730.7nmPL峰测试图3. As

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荧光光谱产品应用系列第四辑 | 论高分辨显微光路在MicroLED PL光谱检测中的重要性

各位朋友们，大家好。最近1年来，随着我司产品的日益迭代优化和成熟，我司接到了很多的三代化合物半导体例如MicroLED晶圆的测试需求。很多人都在问我们类似的问题：为什么你们要用这么高空间分辨率的光路（50x-100x物镜，1um空间分辨）去做PL和R

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