近年来,宽禁带半导体材料已日趋成为日盲紫外光电探测领域的研究热点。目前,已经有各种各样的宽禁带半导体材料被用于制作日盲光电探测器,如铝镓氮(AlxGa1-xN)、氧锌镁(ZnxMg1-xO)、氧化镓(Ga2O3)和金刚石(Diamond)等。氧化镓作为继GaN和SiC之后的超宽禁带半导体材料,能够满足高效、低能耗、高频和高温等高性能应用的需求,在高压电力控制、射频通信、日盲探测、恶劣环境信号处理等方面有着广阔的应用前景。
DUVOE900深紫外光电流测试系统是专门针对由超宽禁带半导体材料制作的光电探测器进行响应度,外量子效率,光谱范围,光/暗电流,光谱抑制比(SRR)等性能参数进行表征的重要工具之一。
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