半导体材料与晶圆 - 苏州惟光探真科技有限公司

软硬件联动｜高速飞拍晶圆 Mapping 采集实测

自研 CMOS 高速飞拍采集系统，搭配微米级位移载台与 532/785nm 双光源，20 秒完成 2400 点位全域扫描，扫描结束即刻生成 PL / 拉曼面分布图谱。大幅缩短晶圆批量检测时长，适配半导体晶圆、MicroLED 量产缺陷筛查，同时支持低维材料大面积光谱表征、Raman 应力分布测试。

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微米级精准位移 | 半导体晶圆全域动态扫描成像

实拍高精度闭环电动位移模组，设备载台与 532/785nm 双光源、采集软件实时同步联动，实现整片晶圆无盲区连续全域扫描。微米级定位精度保障 Mapping 成像稳定可靠，是高速飞拍极速采集的核心硬件基础。设备广泛适配半导体晶圆、MicroLED 发光层全幅质检，同时满足低维材料、薄膜样品、Raman 应力分布的大面积光谱扫描表征需求。

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双模式同步检测｜半导体晶圆 Mapping 光谱设备光源展示

本视频专项展示双光源高速飞拍PL+拉曼一体化Mapping光谱表征系统核心硬件与性能优势。设备搭载532nm+785nm双波长集成光源，实现PL光致发光+拉曼光谱一体化同步检测，可完成半导体晶圆、MicroLED的发光均匀性、缺陷、应力、晶格结构全方位表征。同时搭载自研高速飞拍采集算法，突破传统扫描模式速率限制，具备高速全域飞拍Mapping能力，快速完成大批量点位扫描成像，兼顾检测精度与测试效率，完美适配半导体晶圆量产质检与新材料研发需求。

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深紫外光电流系统应用第二辑 | 深紫外光电流系统测试数据分享

各位好，接上一期，在本期中，我们与您分享我司的深紫外光电流系统测试数据。图1. 瞬态光电流测试：标探与待测物图2. 光电流Mapping测试

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深紫外光电流系统应用第一辑 | 深紫外光电流系统介绍

在之前的公众号文章里，我们陆续介绍了惟光在深紫外激发PL与光谱探测上的经验，以及我们在深紫外光电流领域的订单获取信息，在此一并感谢客户的大力支持。那么从本期开始，我们把最近深紫外光电流系统的相关进展，陆续通过系统架构介绍，内部调试数据和案例的情况，一一分享给大家。那么，今天我们开启我们的第一期：深紫外光电流系统介绍。图1. 深紫外光电流系统示意图本系统的主要特色有：两种模式：瞬态光电流测试寿命和响

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Raman光谱产品应用系列第十一辑 | SR900拉曼光谱在AlGaN中Al组分浓度测试的应用

各位朋友们好，我们之前分享了九期我司的SR900-Raman光谱仪在GaN，SiC以及AlN，碳纳米管上的应用，，以及我司的远程Raman系统用于材料生长的过程监控。那么，本期作为第十期，我司希望和您分享的是SR900 Raman光谱系统在AlGaN中的Al组分测量的应用。如大家所知道的，其实AlGaN中Al组分浓度测试的方法有多种，我们也在此一一说明如下。表1. AlGaN中Al组分浓度测试方法

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Raman光谱产品应用系列第十辑 | 论自动对焦在MicroLED 晶圆应力检测中的重要性

各位朋友们，大家好。在前一期，我们提到，很多人都在问我们类似的问题：为什么你们要用这么高空间分辨率的光路去做PL和Raman呢？其他家都是用375nm搭配5X镜头，甚至于自动对焦都没有，不进行翘曲度的补偿，直接吸片测量，为什么你们还要加自动对焦呢？接下来，在本期，我们会回复第二个问题：论自动对焦在化合物半导体晶圆例如MicroLED应力与PL测试中的重要性。第三代半导体GaN等相关的材料的重要特点

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GaAs与InP光谱测试系列的第五辑 | 辐照损伤与光谱学研究

各位朋友好，大家好。在上一期，我们针对于GaAs与InP的TRPL光谱测试进行了综合性的介绍。在本期，开始我们GaAs与InP光谱测试系列的第五辑，也是本次系列专题的最后一辑：辐照损伤与光谱学研究。因应国家重大战略需求和太空航天相关产业蓬勃发展，那么辐照损伤与光谱测试的重要性就会日益凸显。一、引言GaAs（砷化镓）和InP（磷化铟）是两种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，广泛应用于光电器件、微波器件

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晶圆级碳纳米管的相关测试与应用相关专题第四辑 | 晶圆级碳纳米管的未来应用展望与挑战

各位好，从本期开始，我们开始进入晶圆级碳纳米管的相关测试与应用相关专题第四辑，也是最后一辑：晶圆级碳纳米管的未来应用展望与挑战。一、引言碳纳米管（CNTs）作为一种具有独特物理、化学和电学性能的纳米材料，自其被发现以来便备受关注。晶圆级碳纳米管技术的发展，更是为电子器件的小型化、高性能化和多功能化带来了新的机遇。然而，随着应用领域的不断拓展，晶圆级碳纳米管在辐照损伤和光谱测试等方面也面临着诸多挑战

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