SF900晶圆级半导体缺陷与少子寿命测试系统可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。其主要功能包括:
1)组分测定:通过PL峰位确定半导体材料的禁带宽度,进而确定材料组分;
2)杂质识别:通过光谱中的特征谱线位置,可以识别材料中的杂质元素;
3)杂质浓度测定;
4)半导体材料的少数载流子寿命测量;
5)位错等缺陷。
惟是有光 格物探真
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设备名称 |
主要技术规格 |
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半导体晶圆缺陷与少子寿命测试系统 |
显微模块
手动物镜转台,物镜切换切换后视野中心位置保持不变,5x/10x/20x/50x/ 100x等不同倍率物镜可选。 405 nm激发和荧光共聚焦收集模组 405nm连续激光器,激光器平均功率>10mW;内置旋转衰减片来连续调整光功率;长波通滤光片,荧光收集范围410-700 nm。 532nm激发和拉曼共聚焦收集模组(可选)
532nm激光器,激光器出口功率>50 mW;内置旋转衰减片来连续调整光功率; 光谱仪 光谱范围200-1100nm,光谱分辨率优于0.2nm。 高精度电动位移台 XY移动最小步长 < 0.5um,重复定位精度±1um;Z移动配合翘曲度模块实现自动对焦;样品盘可放置最大370x400 mm的样品。 荧光PL Mapping与FLIM(可选) 光谱范围200-900nm,荧光寿命测量范围100ps-10us,空间分辨率≤1µm@100X物镜@405nm皮秒脉冲激光器,光子计数器计数率100Mcps,通道数65535。 软件
荧光Mapping数据处理:处理荧光的Mapping图像,获得测试样片的峰值波长、主波长、半高宽、峰值强度、积分光强的分布等。 |













针对光谱Mapping数据的处理,一次性操作,可对整个图像数据中的每一条光谱按照设定进行批处理,获得对应的谱峰、寿命、成分等信息,并以伪彩色或3D图进行显示。

3D显示:

基础处理功能:去本底、曲线平滑、去杂线、去除接谱台阶、光谱单位转化
进阶功能:光谱归一化、选区获取积分、最大、最小、最大/最小值位置等
谱峰拟合:采用多种峰形(高斯、洛伦兹、高斯洛伦兹等)对光谱进行多峰拟合,获取峰强、峰宽、峰位、背景等信息。
应力拟合:针对Si、GaN、SiC等多种材料,从拉曼光谱中解析材料的应力变化,直接获得应力定量数值,并可根据校正数据进行校正。
载流子浓度拟合
晶化率拟合
荧光寿命拟合
自主开发的一套时间相关单光子计数(TCSPC)荧光寿命的拟合算法,主要特色
1.从上升沿拟合光谱响应函数(IRF),无需实验获取。
2.区别于简单的指数拟合,通过光谱响应函数卷积算法获得每个组分的荧光寿命,光子数比例,计算评价函数和残差,可扣除积分和响应系统时间不确定度的影响,获得更加稳定可靠的寿命数值。
3.最多包含4个时间组分进行拟合。


主成分分析和聚类分析

主成分聚类处理和分析:
