各位好，本期是我们 材料与器件辐照损伤研究的意义与光谱学方法的应用系列文章的第七辑：GaN的辐照损伤机理及光谱学研究。

在本期中，我们将会在基于目前发表的公开文献为基础，介绍GaN的辐照损失机理和原位光谱测试。

摘要

氮化镓（GaN）材料因其优异的光电特性在蓝光LED、激光器和功率器件中具有广泛应用。然而，在高能粒子辐照环境下，GaN材料的结构和光电性能会受到显著影响。本文综述了GaN材料在辐照损伤下的微观结构变化及其对光电性能的影响，特别关注拉曼光谱、光致发光光谱（PL）和时间分辨光致发光光谱（TRPL）等光谱学方法在研究中的应用。通过这些光谱学手段，可以有效揭示辐照引入的缺陷类型、载流子浓度变化以及载流子动力学行为，为理解和改善GaN材料的抗辐照性能提供了重要依据。

引言

氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，因其优异的光电特性而被广泛应用于蓝光LED、激光器和功率器件等领域。近年来，随着对极端环境下材料性能需求的增加，GaN材料在高能粒子辐照下的稳定性受到广泛关注。高能粒子辐照会导致GaN材料中缺陷态密度的增加，影响其电学和光学性能。因此，深入研究GaN材料的辐照损伤机理对于提高其在极端环境下的应用性能具有重要意义。

近年来，光谱学方法在材料辐照损伤研究中得到了广泛应用。拉曼光谱、光致发光光谱（PL）和时间分辨光致发光光谱（TRPL）等技术能够提供关于材料微观结构、缺陷态密度和载流子动力学的丰富信息。本文将重点探讨这些光谱学方法在研究GaN材料辐照损伤中的应用，并总结相关研究进展。

GaN材料的辐照损伤机制

1.1 点缺陷与位错的形成

高能粒子辐照会导致GaN材料中点缺陷的形成，包括空位、间隙原子和反位缺陷。这些缺陷会破坏GaN的晶体结构，导致晶格畸变。此外，辐照还会诱导位错的形成，这些位错会在晶体中传播并相互作用，进一步加剧晶格的畸变。研究表明，高能粒子辐照后，GaN材料的拉曼光谱显示振动峰位向低波数方向移动，峰宽增加，表明晶格畸变和缺陷态的引入。

1.2 载流子浓度变化

辐照引入的缺陷态会捕获载流子，改变其浓度和迁移率。研究表明，高能粒子辐照后，GaN材料的载流子浓度显著降低，载流子迁移率也受到影响。这些变化会降低GaN材料的电学性能，特别是在光电器件和功率器件中。

1.3 载流子动力学变化

辐照引入的缺陷态会改变载流子的动力学行为。时间分辨光致发光光谱（TRPL）研究表明，高能粒子辐照后，GaN材料的载流子寿命显著缩短，这表明缺陷态对载流子的捕获作用增强。此外，载流子的扩散长度也会受到影响，进一步降低GaN材料的电学性能。

光谱学研究方法与结果

2.1 拉曼光谱

拉曼光谱是一种非破坏性的光谱技术，能够提供关于材料晶格振动模式的信息。对于GaN材料，其拉曼光谱中主要的振动模式包括E₂（high）模式和A₁（LO）模式。这些模式的峰位和强度变化可以反映晶格结构的损伤程度。研究表明，高能粒子辐照后，GaN材料的拉曼光谱显示振动峰位向低波数方向移动，峰宽增加，表明晶格畸变和缺陷态的引入。

2.2 光致发光光谱（PL）

PL光谱是一种常用的光谱技术，用于研究材料的光学性质和缺陷态。对于GaN材料，PL光谱可以提供关于发光效率、缺陷态密度和载流子复合过程的信息。研究表明，高能粒子辐照后，GaN材料的PL光谱显示出发光强度的显著降低和发光峰位的蓝移。这些变化反映了缺陷态密度的增加和载流子复合过程的改变。通过拟合PL光谱，可以进一步确定缺陷态的类型和浓度。

2.3 时间分辨光致发光光谱（TRPL）

TRPL光谱是一种先进的光谱技术，能够提供关于载流子动力学的信息。通过测量载流子寿命，可以深入了解载流子的复合过程和缺陷态的作用。研究表明，高能粒子辐照后，GaN材料的载流子寿命显著缩短，这表明缺陷态对载流子的捕获作用增强。TRPL光谱还可以揭示载流子的扩散过程和非辐射复合机制，为理解GaN材料的辐照损伤提供了重要依据。

结论与展望

图1. SR900的GaN测试结果

图2. SF900的GaN测试结果

本文综述了GaN材料在高能粒子辐照下的损伤机制，特别关注了拉曼光谱、光致发光光谱（PL）和时间分辨光致发光光谱（TRPL）等光谱学方法在研究中的应用。通过这些光谱学手段，可以有效揭示辐照引入的缺陷类型、载流子浓度变化以及载流子动力学行为。研究表明，高能粒子辐照会导致GaN材料的晶格畸变、载流子浓度降低和载流子动力学行为改变。这些发现为理解和改善GaN材料的抗辐照性能提供了重要依据。

未来的研究方向包括：

1. 材料改性：通过掺杂或合金化等方法，提高GaN材料的抗辐照性能。

2. 结构优化：设计新型的GaN结构，如量子点、纳米线等，以增强其抗辐照能力。

3. 多物理场耦合研究：结合热、电、光，真空原位光谱等多物理场耦合效应，深入研究GaN材料在极端环境下的性能变化。

通过这些研究，有望开发出具有更高抗辐照性能的GaN材料，满足光电器件和功率器件在极端环境下的应用需求。