各位朋友们，大家好。

本期与大家分享的是我司Raman光谱产品应用系列的第六辑：SR900显微共聚焦Raman光谱系统在GaAs材料与晶圆上的应用。

如大家所知道的，GaAs与InP等属于第二代半导体材料，Raman在其中有着重要的作用。

晶体质量评估 ：高质量的 GaAs 和 InP 晶圆通常展现出尖锐且对称的 Raman 峰，而缺陷或杂质的存在会导致峰形变宽、变弱甚至出现新的散射峰。通过 Raman 光谱分析，可以确定杂质的类型和掺杂浓度，为材料的生长和掺杂工艺优化提供重要依据。

晶体结构分析 ：Raman 光谱能够有效区分 GaAs 和 InP 晶体的不同振动模式，如纵光学（LO）模和横光学（TO）模。通过分析 Raman 峰位的变化，可以精确判断晶体结构和相变情况。

应力应变测量 ：Raman 峰位偏移与应力应变之间存在定量关系，通过高精度测量，可以实现对 GaAs 和 InP 晶圆应力应变的非接触式、高精度测量，这对于评估晶圆在器件制备过程中的机械稳定性和性能可靠性具有重要意义。

本次的测试条件如下：

激发：3mW@532nm

100X物镜 / NA0.8

扫描范围（μm）与扫描分辨率：78 μm；60*60

单点积分时间：5s

光谱仪焦距：550mm

被测物为单面抛光的3寸晶圆

图1. Raman Mapping图（单位为cm-1)

图2. 应力分布Mapping图（正值为拉应力，单位为MPa）

基于本次的测试结果，逐点拟合292cm-1的拉曼峰位，应力值计算为（峰位值-292 cm-1）*255.75 MPa/cm-1，正值为拉应力。

感谢大家的观看，欢迎随时来测样哦。