各位朋友们，大家好，在今年的4月份，我们在公众号发布了我司出货给深圳某客户的195nm飞秒激光器激发的光致发光系统案例，得到了很多用户的支持和关注，转发量与点击率都创造了当时的新高。

因应用户需求和我司一直对于产品迭代的自我驱动力，在过去的4个月里，对于我司的系统架构和性能又进行了进一步的迭代和优化，并且有了很多的测试案例，由本辑开始，我们逐步进行详细的分享，请大家耐心阅读。

本系列本次共为八期，本次分享的是深紫外光致发光系统应用系列第一辑：深紫外光致发光系统与架构。

如大家所知道的，在以硅为代表的第一代半导体，以GaAs和InP为代表的第二代半导体以及以SiC和GaN为代表的第三代半导体不断发展和成熟之后，近几年，第四代半导体半导体的概念正在愈发引人注目，这类半导体，禁带宽带在200-300nm之间，主要的代表包括但是不限于：AlN、AlGaN、金刚石、Ga2O3。

那么针对于此类半导体的光致发光和由此得到的器件光电流与EQE等相关光谱特性的研究，就成了势在必行的事情，但是激发光源的难以寻找，光路的难以搭建，晶体场与轻重空穴带反转带来的发光角度问题，都给第四代半导体的测量带来了前所未有的巨大挑战。

我司创始人刘争晖博士基于过往接近20年的经验，潜心研究，用心钻研，终于商业化的解决了这一难题，本次就做详细介绍。

如图1所示，为深紫外PL的系统光路示意图。

在本光路中，采用侧面搜集光路模组，以及高低温台，结合195nm飞秒激光器或193nmArF准分子激光器，可以对第四代半导体材料的PL与TRPL性能进行测量。

图1. 系统光路示意图

如图2所示，如我司之前得到的AlN测试结果：带边峰与缺陷峰。

图2. AlN薄膜，室温，带边荧光峰和缺陷峰

看完了示意图，再来看看在我司demo实验室拍摄的实际系统的照片。

如图3所示，大家可以看到：

完备的光路采集系统：整套系统具备了正光路和测光路两个光路系统

完美结合冷热台的能力  

多光源激发得到的多功能：ArF激光器可以用于PL和长寿命测试，195nm飞秒激光器可以用于稳态PL，结合TCSPC进行短寿命测试

可以扩展例如条纹相机等附件

图3. 真实深紫外光致发光系统谍照

本机器，目前接受开放测样，欢迎大家联系我们。

从下一期开始，我们陆续分享相关的测试数据给到大家。

敬请期待。