各位朋友们，大家好。

本期为深紫外光致发光系统应用系列第二辑 HVPE生长AlN的带边发光和缺陷发光。

话不多说，直接上菜（数据）吧！

本实验的实验条件如下：

193脉冲激光器：脉宽约7ns，重复频率200Hz

室温、聚焦状态，通过侧光路收集光谱

功率密度约1mJ/cm2

图1所示，为整个全波段的发光曲线。

大家可以明显看到，在200-210nm之间的两个小峰为AlN的带边峰，400nm左右的包络线为其缺陷发光峰。

我们把带边峰提取出来，由此得到如图2所示的详细数据。

图1. 发光图原始数据

图2. AlN的带边峰：208.0nm和209.4nm

因为我们采用的ns脉宽的激光器，因此我们也尝试对荧光的Lifetime进行测量。

图3. 荧光寿命衰减曲线

图4. 拟合后的寿命值

如图4所示，我们对荧光寿命进行拟合，得到了3个寿命组分：11ns，376ns和3710ns。

对于以上的结果，我们用一张图进行详细的解释，如图5所示。

图5. 测试结果的理论解释

以上就是我们分享的第二辑了，第三辑马上就来，欢迎讨论。