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苏州惟光探真科技有限公司
半导体材料与晶圆
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应用领域
深紫外光致发光系统应用系列第三辑
AlN带边峰与缺陷峰的常温测试
2025-09-24

各位朋友们,大家好。

在第二辑,我们分享了HVPE生长的AlN相关PL测试结果,作为本次系列专辑的引子。

那么在第三辑,我们就分享室温下我们测试得到的AlN带边峰与缺陷峰。


如下图1和2所示,为AlN的发光谱线与解析出来的两个带边峰。


图1. AlN的PL光谱测试原始数据图


图2. AlN的带边双峰:206.9nm和212.8nm


接下来,我们对图1中的缺陷峰寿命进行测试与解析。

图3. AlN的358nm的缺陷寿命



图4. 缺陷的三个组分:7.9ns,205ns和2020ns


以上的结果,全部都是在室温下测试得到。

欢迎大家联系我们进行咨询和样机测试啦。

感谢大家。


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