深紫外光致发光系统应用系列第四辑<br>AlN带边峰单峰与缺陷峰的常温测试

深紫外光致发光系统应用系列第四辑
AlN带边峰单峰与缺陷峰的常温测试

2025-09-24

各位朋友们，大家好。

在之前三辑的分享中，大家看到了HPVE生长的AlN与室温下的AlN测试结果，所得到的带边峰基本都是双峰，本期我们分享另外一个比较有趣的结果，供大家赏析。

图1. AlN的全谱曲线

图2. 209.4nm的AlN单峰带边峰

在此基础上，我们再次针对于这个样品在324nm的缺陷峰寿命进行测试。

图3. 324nm的缺陷峰寿命原始数据

对图3的数据进行拟合，得到图4的结果。

图4. AlN的缺陷寿命三个组分：117ns，6667ns和10830ns

以上，就是本期分享的结果了！

感谢大家。

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