大家看到的前面六期，分别是我们列出了大量的测试数据和系统架构。

本期开始，我们陆续对这些数据进行总结对比，解释说明，并且和CL进行对比，也同步看一下不同激发功率下的变化。

表1. AlN的PL光谱对比

如表1所示，可以得到如下的结论。

带边峰的劈裂与材料质量和表面取向显著相关

缺陷峰的峰位与生长方法、表面取向和晶体质量相关

缺陷峰寿命与表面取向显著相关

在表2中，我司的数据也与阴极射线荧光（CL）的方法进行了对比。

特别说明的是，本次的CL测试数据，特别感谢金竟科技的大力支持。

表2. 与阴极射线荧光方法的对比

图1. 样品1的相关情况解释

图2. 样品1的CL光谱

图3. 样品5的相关情况解释

图4. 样品5的CL光谱

如图1到🤮图4所示，我们也对样品2和样品5进行了详细的数据对比和解释说明。

接下来，我们看一下不同193nm下激发功率带来的影响。

图5. 激发功率密度1mJ/cm2

图6. 激发功率密度2mJ/cm2

由此得到结论：

300nm附近缺陷峰的峰强随激发功率密度变化显著快于带边峰和500nm缺陷峰。

以上就是我们本期分享的全部内容了。