用户速递第一辑
2024年3月,苏州惟光探真科技有限公司的刘争晖研究员与中科院苏州纳米所的范世钊研究员在JAP(Journal of Applied Physics)杂志上联合发表了题为Polarity control and crystalline quality improvement of AlN thin films grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy的相关文章,在本篇文章中,范世钊研究员使用了苏州惟光探真的SR900 Raman光谱测试系统(初代型号为R1)对采用等离子体辅助MBE生长的N记性与Al极性硅基AlN薄膜,通过Raman光谱的方法进行应力测量,相关数据在文章中有所呈现。
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