2025年8月11日，备受期待的第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连盛大启幕。此次会议汇聚了国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的众多精英，包括专家学者、科研技术人员、院校师生以及企业家代表等。他们将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等关键领域，展开深入且广泛的交流，全力促进产学研用的深度融合与合作，致力于推动我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究迈向新高度，实现技术的重大突破与产业的蓬勃发展。

在这场行业盛会中，苏州惟光探真科技有限公司受邀在材料物性与辐照测试分会上作学术报告，报告题目为 “晶圆级与超宽禁带半导体光电测试与解决方案”。这不仅是对惟光探真在半导体检测领域技术实力的高度认可，更是公司向行业展示前沿成果、促进交流合作的绝佳契机。

本次会议，惟光探真将重点汇报在超宽禁带半导体（如AlN、AlGaN、金刚石、Ga2O3）领域最新的测试数据，如AlN室温荧光发光和缺陷峰寿命、AlN不同激发功率下荧光峰强度变化、AlGaN不同温度下荧光峰变化和带边发光寿命、Ga2O3等探测器器件的稳态瞬态光电流测试以及Mapping光电流测试等最新测试数据。此外新推出的空间环境地面模拟与原位光谱测试工作站在模拟近地轨道、深空和行星环境等辐照条件下，探索宽禁带半导体等材料在辐照下的光电性质变化。

学术会议报告（部分展示）