8月12日，第六届宽禁带半导体学术会议在大连持续进行。作为全球高技术竞争战略制高点之一，宽禁带半导体领域的发展备受瞩目。本届会议自开幕以来，吸引了众多业内人士的积极参与，大会报告厅每日座无虚席。此次会议不仅为参会者们提供了展示研究成果的舞台，更为他们创造了宝贵的交流机会，促进了产学研用的深度合作，对我国宽禁带半导体领域的发展起到了有力的推动作用。

在宽禁带半导体领域，材料缺陷检测一直是制约产业化的关键技术瓶颈。传统检测手段难以满足第三代半导体材料的高精度、高效率、无损检测需求。惟光探真在半导体晶圆检测检测领域的技术创新主要体现在三个方面：

高精度无损检测：通过拉曼光谱成像系统实现材料应力和缺陷分布的可视化，避免传统检测方法对晶圆的破坏；

快速在线监测：集成于AOI系统的自动对焦显微成像光学模组，可在生产线上实时监测晶圆质量；

多参数综合分析：同步获取材料的发光特性、载流子浓度和应力分布等多维数据，为工艺优化提供全面参考。

在会议期间，惟光探真总经理刘争晖博士发表了题为《晶圆级与超宽禁带半导体光电测试与解决方案》的主题报告。报告中，刘博士详细介绍了惟光探真在半导体光电测试领域的核心技术、产品应用以及未来发展方向，引发了与会者的热烈讨论和深入交流。众多行业专家和企业代表对惟光探真的技术实力和创新成果给予了高度评价，并表达了进一步合作的意向。

惟光探真此次展示的超宽禁带半导体产品，针对当前宽禁带半导体发展的痛点，提供了极具创新性的解决方案。例如，其<200nm 激发的深紫外荧光系统，专门用于超宽禁带宽度的 AlN 或AlGaN等晶圆级半导体的研究。通过 195nm飞秒激发，该系统能够获取关键的光致发光谱等材料信息，为科研人员深入了解超宽禁带半导体材料特性提供了有力手段。

另外，深紫外光电流测试系统则是针对由超宽禁带半导体材料（如氧化镓）制作的光电探测器进行性能参数表征的重要工具。它可对响应度、外量子效率、光谱范围、光/暗电流、光谱抑制比 (SRR) 等参数进行精准测量，配备的兼容 2 寸大范围高精度自动扫描台，可实现自动扫描 Mapping 功能，步长精度＜1um，为超宽禁带半导体器件的研发与质量控制提供了高精度的数据支持。

此外，惟光探真的真空互联原位光谱测试工作站也在本次会议中大放异彩。该工作站能够在保持样品原有环境的基础上进行原位光谱检测，其独特的设计包含进样室、辐照室和量测室三个部分。进样室可将样品传送到合适位置；辐照室可根据实验场景对样品进行电子束、质子源、真空紫外、等离子体放电等各种辐照，不同辐照方式可按需组合；量测室则在辐照后对样品进行光谱检测，也支持边辐照边测试。

这一工作站的应用场景十分广泛。在半导体生长的原位测试中，可在半导体生长过程中和生长后，于特定真空环境下对半导体晶圆进行原位测量，为优化生长工艺提供实时数据。在宽禁带半导体的辐照与原位光谱测试方面，随着空间科学技术的发展，宽禁带半导体在地外空间极端环境中的应用备受关注。此工作站能够探究宽禁带半导体的辐射效应规律、缺陷间的相互作用机制、抗辐射加固设计方法，对于增强材料在极端环境下的服役性能、提高未来设备服役的稳定性具有关键指导意义。

此次亮相第六届全国宽禁带半导体学术会议，不仅是惟光探真展示自身实力和产品的重要契机，也是公司与行业内各方深入交流、加强合作的良好平台。通过与学术界和产业界的紧密互动，惟光探真将不断汲取前沿技术理念，了解市场需求，进一步推动半导体晶圆检测产品的创新和优化，为我国宽禁带半导体产业的发展贡献更多力量。