3月18日至19日，第二届第四代半导体技术研讨会在行业瞩目下圆满落幕。本次研讨会汇聚国内超宽禁带半导体领域顶尖学者、产业领袖与技术精英，围绕氧化镓、金刚石、氮化铝等核心材料与器件的前沿研究、产业化进展及关键技术挑战深度研讨，为我国第四代半导体产业创新发展擘画蓝图。在这场学术与产业交融的盛会中，惟光探真超宽禁带半导体检测产品凭借其精准高效的技术优势与前瞻性的应用场景，获得了与会专家的高度认可与广泛关注，成为本次研讨会的一大亮点。

在本次研讨会的技术展示与交流环节，惟光探真携旗下超宽禁带半导体检测系列产品精彩亮相，如针对色心体系的量子光学表征、氧化镓日盲探测器光谱响应度表征、AIN晶圆发光性能表征等等，凭借其在超宽禁带半导体材料与器件表征领域的精准性、高效性与前瞻性，吸引了众多与会专家、学者及产业代表的驻足交流与高度认可。超宽禁带半导体材料（如氧化镓、金刚石、氮化铝、氮化硼）具有独特的物理化学特性，其晶体质量、缺陷分布、电学性能、光学性能等参数的精准表征，是器件设计与产业化的核心前提。

此次参会既是公司展示技术创新成果的重要契机，也是深化产业链沟通、凝聚合作共识的关键平台。本次研讨会上的认可与关注，既是对惟光探真过往技术积累与产品创新的肯定，更是对未来发展的期许，公司将继续深耕超宽禁带半导体检测领域，加大研发投入，持续优化产品性能，拓展应用场景，同时加强与高校、科研院所及产业界的协同合作，共同攻克超宽禁带半导体表征领域的核心技术难题，为我国第四代半导体产业的高质量发展贡献力量