各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第五辑：AsGa晶圆的PL测试，但是区别于第五辑，本次采用的激发波长更短：375nm。

测试条件如下：

样品：GaAs

扫描设置： 对样品进行范围Mapping测试PL

 激光功率：3.1mW（375激光）

 测试范围、积分时间依据具体情况而定

 切边朝下放置

 GaAs刻字面朝上，GaAs样品运输过程中碎裂，对有刻字面的部分进行测试

图1. PL测试结果

                                                               图2. PL测试结果787nmPL峰

                                                            图3. PL测试结果-811.9nmPL峰

                                                            图4. PL测试结果-834.7nmPL峰

                                                              图5. PL测试结果-856.9nmPL峰

                                                      图6. PL测试结果-814.3nmPL峰