各位惟光探真的朋友们大家好，在前面几期里，我们已经有分享过我司的Raman光谱系统SR900在AsGa晶圆应力测试上的应用，在本期，我司分享一些与之前不太一样的结论。

测试条件如下：

样品分别为 处理前GaAs与处理后GaAs

扫描设置：

缺口朝下摆放对样品正面进行Mapping分析应力

扫描点数：556点

积分时间：5s/点

点间距：5mm/点

图1. AsGa典型Raman光谱

图2. 处理前的AsGa晶圆Raman光谱测试

图3. 处理前的AsGa晶圆Raman光谱测试

图4. 处理后的AsGa晶圆Raman光谱测试

图5. 处理后的AsGa晶圆Raman光谱测试

本次测试的结论如下：

• 处理后的样品相比未处理的样品应力强弱分布情况更加清晰，呈现左上应力大右下应力小的现象
• 样品应力波动范围较大，GaAs(TO)峰以及GaAs(LO)右侧峰的存在对其有一定影响
•  样品除了典型的GaAs拉曼特征峰（LO、TO峰）外还有许多信号出现，无法判断其信号来源，需确定样品质量或结构
• 对样品中可能的非晶As与GaAs峰进行比值可以得出样品非晶化情况，未处理前上半部分非晶化重，处理后下半部分晶化情况较差，后经验证证明该部分强度与非晶As峰强度分布相似