Raman光谱应用第十五辑 | Raman光谱在SiC晶圆纵向深度下的应力测试

2026-03-12

各位惟光探真的朋友们大家好，在本期，我们分享：

Raman光谱应用第十四辑 Raman光谱在SiC晶圆纵向深度下的应力测试。

在之前的分享中，我们已经分享过几篇我们在SiC晶圆上的测试，特别是利用Raman的共焦性能进行不同深度下的测试，那么今天分享的情况与之前类似，也有差异。

我们先来看一下具体的实验方法与样品情况，如图1所示。

我们在样品上分为A/B/C/D四个区域，然后进行不同的测试。

图1. 实验方法与样品情况

然后，在测试样品之前，我们对数据进行校正，如图2所示。

图2. 样品测试前的数据校正

最后，我们看一下A/B/C/D四个区域的结果。

图3. A区域的测试结果

图4. B区域的测试结果

图5. C区域的测试结果

图6. D区域的测试结果

以上，就是本期分享的全部内容啦！

上一篇： Raman光谱应用第十六辑 | Raman光谱在AlGaN中Al组分浓度测试上的应用

下一篇：Raman光谱应用第十四辑 | Raman光谱InGaAsP晶圆测试上的应用