应用领域 - 苏州惟光探真科技有限公司

Raman光谱应用第十九辑 | SisN4晶圆应力怎么测?Raman光谱应用实操

各位惟光探真的朋友们大家好，在本期，我们分享：Raman光谱应用第十九辑 Si₃N₄的应力测试。如图1所示，为实验方法。本次实验以Si₃N₄晶圆样品为测试对象，采用整晶圆螺旋扫描方式完成全域应力表征，具体实验参数与操作设置如下，实验流程如图 1 所示：扫描设置：整晶圆螺旋扫描，扫描半径 47mm，实现晶圆全域的无死角应力检测；光学系统：物镜选用100× 高倍物镜，数值孔径 0.80，保证测试的

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Raman光谱应用第十八辑 | Z-Scan Mapping趣谈

各位惟光探真的朋友们大家好，在本期，我们分享：Raman光谱应用第十八辑 Z-Scan Mapping趣谈在本期，我司的工程师对Z-Scan Mapping的事情做了相关的实验，我们与大家分享一些有趣的内容。如图1所示，为实验方法与采用的标准物质。图1. 实验方法而后，我们用Si标样进行单点测试，如图2所示。图2. Si标样测试接下来，我们对Si标样进行ZScan Mapping。图3. 10X1

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Raman光谱应用第十七辑 | 用石墨烯进行横向分辨率的验证

各位惟光探真的朋友们大家好，在本期，我们分享：Raman光谱应用第十七辑用石墨烯进行横向分辨率的验证首先，我们来看一下实验方法，如图1所示。图1. 实验方法接下来，我们进行横向分辨率的验证实验，如图2所示。结论：用532nm光源，横向分辨率可以稳定在1μm以内！图2. 横向分辨率验证图3. 横向分辨率验证图3，Boltzmann台阶宽度2dx=0.16μmBoltzmann拟合求导高斯拟合半高宽

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Raman光谱应用第十六辑 | Raman光谱在AlGaN中Al组分浓度测试上的应用

各位朋友好，在之前的公众号文章中，和大家已经分享了Raman光谱在AlGaN中Al组分浓度测试上的应用（插入超链接），那么本期和大家分享Raman光谱应用实际案例第十六辑：Raman光谱在AlGaN中Al组分浓度测试上的应用当然，我们的系统采用插槽式并联光路设计，也可以采用213nm或者266nm不同波长下的紫外PL测试，进行浓度分析，与Raman进行互补。实验设置如下：扫描设置：激光波长：532

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Raman光谱应用第十五辑 | Raman光谱在SiC晶圆纵向深度下的应力测试

各位惟光探真的朋友们大家好，在本期，我们分享：Raman光谱应用第十四辑 Raman光谱在SiC晶圆纵向深度下的应力测试。在之前的分享中，我们已经分享过几篇我们在SiC晶圆上的测试，特别是利用Raman的共焦性能进行不同深度下的测试，那么今天分享的情况与之前类似，也有差异。我们先来看一下具体的实验方法与样品情况，如图1所示。我们在样品上分为A/B/C/D四个区域，然后进行不同的测试。图1. 实验方

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Raman光谱应用第十四辑 | Raman光谱InGaAsP晶圆测试上的应用

各位惟光探真的朋友们大家好，在本期，我们分享：Raman光谱应用第十四辑 Raman光谱InAsGaP晶圆测试上的应用在荧光光谱第八辑中，我们分享了SF900在InGaAsP上的应用，并且对于2个不同的样品，分别进行了532nm激发和785nm激发下的PL光谱测试对比。http://www.lumixplore.com/xianshi/352.html接下来和大家分享我们的Raman测试结果。图1

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荧光光谱产品应用第八辑 | SF900在InGaAsP晶圆上的应用

各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第八辑：SF900在InP晶圆测试上的应用。此晶圆为在InP衬底上外延InGaAsP。首先，我们采用785nm激光进行测试。测试条件如下：扫描设置：激光波长：785nmPL积分时间：10ms单点测试：900-1400nm我们先来看看编号为1的样品，进行PL测试。图1. 三处对接区785nmPL测试结果图2. 三处其他位置下的785nmPL荧光图3. P

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荧光光谱产品应用第七辑 | SF900在GaN晶圆上的应用

各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第七辑：SF900在GaN晶圆测试上的应用。样品列表Si基GaN扫描设置：对样品进行PL扫描，观察不同位置在钝化后的发光峰强激光波长：320nm激光功率：40mW积分时间：10s波长区域：330nm~625nm图1. 测试点位选择图2. 测试结果分享图3. 测试结论分析

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荧光光谱产品应用第六辑 | SF900在AsGa晶圆上的应用

各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第五辑：AsGa晶圆的PL测试，但是区别于第五辑，本次采用的激发波长更短：375nm。测试条件如下：样品：GaAs扫描设置：对样品进行范围Mapping测试PL激光功率：3.1mW（375激光）测试范围、积分时间依据具体情况而定切边朝下放置GaAs刻字面朝上，GaAs样品运输过程中碎裂，对有刻字面的部分

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