半导体材料与晶圆 - 苏州惟光探真科技有限公司

看见二维半导体 07｜4英寸晶圆只测几个点够吗？

当样品从15×15 mm扩大到4英寸晶圆，单点测试的代表性进一步下降。本次PL Mapping在整片晶圆上识别出边缘缺失、中心低信号和左下局部异常等空间特征。晶圆样品的典型PL响应4英寸蓝宝石基底MoS₂晶圆在约630.8 nm和683.9nm附近出现两个主要发光带，同时可见蓝宝石衬底相关尖峰。与15×15mm样品相比，晶圆样品的整体PL强度偏低，但两者测试面积、样品工艺和局部覆盖并不相同，因此不

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看见二维半导体 06｜17.8 cm⁻¹背后的层数线索

同一片15×15 mm样品在PL中表现出明显空间差异。Raman测试进一步提供了晶格振动、峰间距和局部层数变化线索，并帮助区分MoS₂信号与蓝宝石衬底信号。典型Raman峰与衬底信号典型光谱在约385.4cm⁻¹和403.2 cm⁻¹附近出现MoS₂的两个主要Raman峰，二者间距约17.8cm⁻¹。光谱中还出现约417.9 cm⁻¹、576.1 cm⁻¹和750.9 cm⁻¹等峰，其中部分可归属

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看见二维半导体 05｜15×15 mm样品PL实测

导语大面积 CVD 生长二硫化钼（MoS₂）是二维半导体产业化核心材料，但整片薄膜发光均匀性一直是量产质控痛点。本次我们取15×15 mm 蓝宝石基底单层 MoS₂薄膜，用 532nm 激光完成全域 PL Mapping 扫描，把峰强、峰位、半高宽全部转化二维空间分布图，直观拆解薄膜中心、边缘、左右区域的发光性能差异。测试基础：样品与实验条件测试对象：15×15 mm 蓝宝石衬底MoS₂薄膜测

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看见二维半导体 04 | MoS₂层数怎么判断？

导语做二维 MoS₂薄膜表征时，很多人会直接用一句话判定层数：两个拉曼峰差值多少，就对应几层材料。这个说法有文献实验支撑，但放到真实样品里，衬底、应变、掺杂、测试设备都会干扰峰位数值。想要精准判断 MoS₂层数，不能只看单一峰间距，要搭建完整多参数证据链。两大核心拉曼振动模式，看懂峰间距变化逻辑MoS₂拉曼表征最常用两组特征振动峰：E¹₂g 模式：代表 Mo、S 原子的面内振动；A₁g 模式：代

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看见二维半导体 03｜为什么二维材料更需要 Mapping

在面积只有几毫米的样品上，中心与边缘可能已经不同；到了4英寸晶圆，几个单点更难代表整体。Mapping的价值，就是用规则扫描把局部光谱与真实位置一一对应。一条光谱只能代表一个位置单点光谱适合快速确认材料是否具有目标特征峰，也适合对已知位置进行精细分析。但它有一个天然限制：选择哪个点，结论就只代表哪个点。如果样品存在边缘效应、覆盖不连续、晶粒差异或局部污染，单点很容易遗漏关键区域。二维材料通常非常薄

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看见二维半导体 02 ｜一张光谱图到底怎么看？

面对一张 Raman 或 PL 光谱，很多人的第一反应是寻找“最高的峰”。但真正有分析价值的，不只有峰高。峰位、峰强和半高全宽是三个常用的定量参数；与此同时，还应观察峰形是否发生改变。把这些信息放在一起，才能更可靠地读懂材料状态。第一个问题：峰出现在哪里峰位是光谱分析最基础的坐标。Raman 单位通常以 cm⁻¹ 表示，对应材料的振动频率；PL 单位常用 nm 或 eV 表示，对应发光波长或光子能

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看见二维半导体 01　｜　拉曼与荧光为何要一起看？

同一片二维半导体，显微镜下看起来可能很均匀，光谱却会告诉我们：不同位置的层数、发光、应变和缺陷状态并不一定相同。要把这些差异真正“看见”，往往需要把 Raman、PL 与 Mapping 放在同一套分析框架中。从“看见样品”到“读懂样品”MoS₂、WS₂ 等过渡金属硫族化合物可以被制备成单层或少层结构。厚度降到原子尺度后，材料的能带、晶格振动和光学响应会随层数发生明显变化。对研发人员而言，研究的问

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软硬件联动｜高速飞拍晶圆 Mapping 采集实测

自研 CMOS 高速飞拍采集系统，搭配微米级位移载台与 532/785nm 双光源，20 秒完成 2400 点位全域扫描，扫描结束即刻生成 PL / 拉曼面分布图谱。大幅缩短晶圆批量检测时长，适配半导体晶圆、MicroLED 量产缺陷筛查，同时支持低维材料大面积光谱表征、Raman 应力分布测试。

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微米级精准位移 | 半导体晶圆全域动态扫描成像

实拍高精度闭环电动位移模组，设备载台与 532/785nm 双光源、采集软件实时同步联动，实现整片晶圆无盲区连续全域扫描。微米级定位精度保障 Mapping 成像稳定可靠，是高速飞拍极速采集的核心硬件基础。设备广泛适配半导体晶圆、MicroLED 发光层全幅质检，同时满足低维材料、薄膜样品、Raman 应力分布的大面积光谱扫描表征需求。

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