由中国化学会物理化学学科委员会主办，北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室承办的“中国化学会第一届全国表界面科学会议”将于2025年5月9日-12日在四川成都举办。

苏州惟光探真受本次会议第18分会分会主席中科院长春应化所周敏教授的邀约，参加本次会议，并且由必创科技投资与创新中心副总经理董磊，代表我司在科学仪器分会上做半导体测试相关学术报告，欢迎大家参与与讨论。

晶圆级与超宽禁带半导体光电测试与解决方案

1北京必创科技有限公司

2苏州惟光探真科技有限公司，苏州工业园区星湖街218号生物医药产业园一期A4楼108，215123

关键词：晶圆；拉曼；荧光；光电；第三代半导体

针对SiC、GaN等第三代半导体材料和MicroLED新型器件先进制程中面临的发光性质、应力和载流子浓度不均匀的新问题，我们依托自主知识产权的激光辅助离焦量传感器，小型化科勒照明系统，高稳定性的系统集成设计、数据处理和软件算法等核心技术，提供荧光和拉曼显微成像的核心光学模组和测试系统。针对8英寸晶圆的残余应力表征，我们可以获取<20MPa的应力变化，对应拉曼峰偏移仅为0.02波数的变化。针对GaN和SiC晶圆片，我们可以通过拉曼这种非接触手段获得定量的载流子浓度分布的信息，并将其与缺陷分布的信息相互对应。

针对超宽禁带宽度的AlN等晶体，我们的195nm飞秒激发的深紫外荧光的测试设备可以获取其光致发光谱等关键的材料信息。针对MicroLED相关的晶圆质量控制，我们的微米级光斑和自动聚焦控制，可以有效抑制法珀罗干涉对荧光信号的干扰，获得更加可靠和准确的光致发光谱的空间分布。基于等离子体发光光谱的Mapping测试设备，可对材料表面的微量元素进行分析。进一步的，我们将这些光谱学手段有机地集成在真空互联系统中，为前沿性的科学研究提供了更加有力的手段。

图 1 晶圆级半导体测试真空原位工作站示意图

图2. AlN荧光测试

图3. SiC晶圆载流子浓度测试