苏州惟光探真拿到了深圳某行业知名客户的<200nm深紫外稳态与瞬态荧光系统订单，并且顺利交付使用！

本系统交付后，我司还在持续不断与客户一起进行进一步迭代优化，同时，我司也会在5月份在我司苏州的研发基地搭建样机，在苏州本地进行迭代优化，同时把迭代优化好的更好的技术分享给我们的客户。

我司在其他的系统交付中，也会采用类似的策略和办法，总之，与客户一起成长，是我们一直以来的愿望！

众所周知，目前以SiC，GaN，AlN等为代表的第三代宽禁带化合物半导体材料如火如荼，受到了广大科研工作者的广泛关注，并且在诸如高温，高频和大功率器件等诸多的应用方向上得到了实践。

但是宽禁带半导体材料的光学与光电表征，历来都是难点。

这些难点在于：

• 宽禁半导体带材料的带隙较大，击穿电场较高。需要上千伏高压进行测试
• 宽禁带半导体材料是高流器件的制备材料，需要用到几十安培的高流进行测试
• 四线法及霍尔效应测试均是加流测压的过程，需要设备能输出电流并且测试电压
• 电阻率及电子迁移率通常范围较大，需要电流电压范围都很大的设备
• 电流源和电压表精度要高，保证测试的准确性
• 比较大的禁带宽度，需要比较短的波长进行激发
• 特别是例如AlN等材料发光角度的差异：针对AlN的发光波段（200-210 nm），没有合适的滤光片滤除激光，且AlN由于轻重空穴带反转，其荧光发光角度为侧面出光

我司研发的DUVL900 深紫外超宽禁带半导体荧光测试系统，基于我司20年左右的第三代半导体表征测试经验，可以有效地对宽禁带与超宽禁带半导体材料例如AlN和AlGaN等进行荧光激发。

接下来，我们会对这款产品进行发布，并且逐步开始分享相关的测试数据与案例。

五月份下旬开始，我们接受相关测样服务。

表1 系统配置与功能

图1. 光路结构示意图

图2. 我司刘争晖博士调试设备中