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惟光探真在第一届全国表界面科学会议上深入探讨晶圆级与超宽禁带半导体光电测试与解决方案
2025-05-14

各位朋友们,首先感谢大家持续关注!

在5.12日的中国化学会第一届全国表界面科学会议科学仪器分会场,必创科技有限公司投资与创新中心副总经理董磊代表我司在科学仪器分会上详细介绍了晶圆级与超宽禁带半导体光电测试与解决方案,展示了惟光探真在先进半导体检测技术领域的核心技术、产品及应用场景,受到与会行业专家学者、科研人员及企业代表的积极关注。

我司在晶圆级与超宽禁带半导体检测领域的三大核心技术,无疑是本次报告中最受关注的焦点。


核心技术1:高精度自动聚焦与表面跟踪

自主研发的 12 寸全晶圆激光自动对焦技术,突破传统检测设备的低倍数局限,物镜放大倍数可达 50 倍、100 倍,对焦精度控制在 0.2μm 以内,确保全晶圆范围内的精准检测,适用于复杂曲面及翘曲样品的实时表面跟踪,为先进制程中的形貌、尺寸与缺陷检测提供可靠数据支撑。


核心技术2:微米级共聚焦光谱技术

针对第三代半导体特有的组分不均匀性问题,开发的共聚焦荧 /拉曼光谱技术,实现微米级空间分辨的无损检测,应力分辨精度 < 20MPa,拉曼峰位漂移控制在 0.02 波数以内,有效解决了传统检测方法在工业级应用中的稳定性与重复性难题,可精确分析 SiC、GaN 等材料的应力分布、载流子浓度及晶化率等关键参数。


核心技术3:智能化软件与数据分析

通过自主开发的自动化控制软件与 Mapping 数据分析平台,结合人工智能算法,惟光探真实现了自动调焦、寻区、物镜切换及缺陷智能识别,支持高通量在线检测。系统可自动拟合光谱数据,快速输出应力、载流子浓度等关键物理参数,显著提升检测效率与数据解析能力。


在此次会议中,我司分享了多个典型应用案例:

✓ 针对 SiC 晶圆的残余应力检测,其技术可精确识别边缘与中心区域的应力差异,为衬底筛选与工艺优化提供依据;
✓ 在 GaN 衬底应力分布检测中,结合拉曼光谱技术,成功实现对 568cm⁻¹ 特征峰位的动态追踪,助力客户优化外延生长工艺;
✓ 光致发光谱(PL)测试系统在 MicroLED 器件检测中表现突出,可实现单像素级的发光波长、强度及寿命成像,为 MicroLED 的良率提升提供关键技术支持;
✓ <200nm深紫外激发光致发光光谱测试系统,首次实现对AIN等超宽禁带半导体的荧光发射光谱和荧光寿命进行测试表征;
✓ 空间辐照与原位光谱测试工作站,通过将多腔体真空互联工作站和光谱学表征设备一体化设计制造,有效解决多模态光谱工作站在超高真空环境中原位检测的难题,是国内首个具备真空互联原位光谱测试工作站设计制造能力的供应商。


当前,全球半导体产业正加速向宽禁带材料转型,惟光探真的宽禁带半导体检测解决方案不仅可以满足晶圆级检测的高精度需求,更通过模块化设计与国产供应链整合,为客户提供定制化检测方案。我司致力于成为半导体检测领域的‘眼睛’,用技术创新推动第三代半导体产业发展。




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