MicroLED - 苏州惟光探真科技有限公司

荧光光谱产品应用第七辑 | SF900在GaN晶圆上的应用

各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第七辑：SF900在GaN晶圆测试上的应用。样品列表Si基GaN扫描设置：对样品进行PL扫描，观察不同位置在钝化后的发光峰强激光波长：320nm激光功率：40mW积分时间：10s波长区域：330nm~625nm图1. 测试点位选择图2. 测试结果分享图3. 测试结论分析

探索更多
荧光光谱产品应用第六辑 | SF900在AsGa晶圆上的应用

各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第五辑：AsGa晶圆的PL测试，但是区别于第五辑，本次采用的激发波长更短：375nm。测试条件如下：样品：GaAs扫描设置：对样品进行范围Mapping测试PL激光功率：3.1mW（375激光）测试范围、积分时间依据具体情况而定切边朝下放置GaAs刻字面朝上，GaAs样品运输过程中碎裂，对有刻字面的部分

探索更多
Raman光谱应用第十二辑 | Raman光谱AsGa晶圆测试上的应用

各位惟光探真的朋友们大家好，在前面几期里，我们已经有分享过我司的Raman光谱系统SR900在AsGa晶圆应力测试上的应用，在本期，我司分享一些与之前不太一样的结论。测试条件如下：样品分别为处理前GaAs与处理后GaAs扫描设置：缺口朝下摆放对样品正面进行Mapping分析应力扫描点数：556点积分时间：5s/点点间距：5mm/点图1. AsGa典型Raman光谱图2. 处理前的AsGa晶圆Ra

探索更多
荧光光谱产品应用第五辑 | SF900在AsGa晶圆上的应用

各位好，本期和您分享SF900晶圆级荧光应用的第五辑：AsGa晶圆的PL测试。测试条件如下：样品：GaAs扫描设置：对样品进行范围Mapping测试PL激光功率：24mW（532激光）测试范围、积分时间依据具体情况而定切边朝下放置GaAs刻字面朝上，GaAs样品运输过程中碎裂，对有刻字面的部分进行测试图1. AsGa样品的532nmPL测试结果图2. AsGa的730.7nmPL峰测试图3. As

探索更多
荧光光谱产品应用系列第四辑 | 论高分辨显微光路在MicroLED PL光谱检测中的重要性

各位朋友们，大家好。最近1年来，随着我司产品的日益迭代优化和成熟，我司接到了很多的三代化合物半导体例如MicroLED晶圆的测试需求。很多人都在问我们类似的问题：为什么你们要用这么高空间分辨率的光路（50x-100x物镜，1um空间分辨）去做PL和R

探索更多
MicroLED芯片与晶圆的PL和Raman测试表征技术深探第六辑|PL-Raman联用在MicroLED研发中的创新应用和产业价值

各位朋友们，大家好。今天小薇继续分享MicroLED芯片与晶圆的PL和Raman测试表征技术：PL-Raman联用在MicroLED研发中的创新应用和产业价值。这也是近期我们对MicroLED芯片与晶圆表征技术解析系列的最后一辑。

探索更多
MicroLED芯片与晶圆的PL和Raman测试表征技术深探第五辑 | Raman测试在MicroLED全工艺链中的应用图谱

各位朋友们，大家好。前面我们已经详细分析了PL测试在MicroLED全工艺链中的应用，而Raman测试和PL测试在MicroLED芯片与晶圆测试领域具有同样重要的作用，所以今天我们也把Raman测试单列出来，详细分析其在MicroLED全工艺链中的应用。

探索更多
MicroLED芯片与晶圆的PL和Raman测试表征技术深探第四辑 | PL测试在MicroLED全工艺链中的应用图谱

各位真粉们，大家好。经过前面几辑对MicroLED技术及PL和Raman测试表征方法的简单介绍，相信大家已经对MicroLED和我们在这个领域所提供的产品有了初步的了解，所以接下来小薇想更深入的跟大家探讨学习PL和Raman测试在MicroLED领域的应用，希望大家能多提意见，相互学习。今天我们就先从PL测试在MicroLED全工艺链中的应用开始讲起。

探索更多
MicroLED芯片与晶圆的PL和Raman测试表征技术深探第三辑 | 为何PL与Raman测试是MicroLED检测的“必选项”？

各位朋友们，大家好。今天小薇想跟大家探讨一个问题：为何PL与Raman测试是MicroLED检测的“必选项”？而这也是MicroLED芯片与晶圆的PL和Raman测试表征技术深探系列的第三辑。欢迎感兴趣的朋友在评论区留言，大家一起交流学习！

探索更多